2025年综合活动手册九年级物理上册沪教版54制第74页答案
半导体材料的应用
半导体是一种重要的电子工业材料。用半导体材料制成的二极管、三极管等是各种电路的重要元件(图 1)。集成电路是半导体技术发展过程中形成的一个重要分支,生活中的智能家电、工业中的仪表机床、军事上的卫星导弹都离不开集成电路。集成了上亿个晶体管的芯片(图 2)因其技术含量极高,制造工艺复杂,成为半导体产业链上的掌上明珠。

跨学科实践任务
任务 1:体验半导体器材的简单应用,调查并了解半导体材料的应用对社会发展的影响。
(1)成立合作小组,将小组成员分工的信息记录在“小组信息”中,见表 1。
| 小组信息 | |
| 小组成员 | 成员分工 |
| | |

(2)了解实验室提供的发光二极管的物理参数,如工作电压和电流的范围等,记录在“发光二极管参数”中,见表 2。
| 发光二极管参数 | |
| 参数名称 | 参数值 |
| | |

(3)发光二极管在电路图中用符号“”表示。使图 3 中发光二极管的电流从左侧流入,右侧流出。先将图 3 所示电路图补充完整,然后合理选择器材,并按照图 3 所示电路图连接电路,使二极管发光。

(4)改变电路中的电流方向,二极管还能发光吗?比较发光二极管与普通小灯泡有何异同。
任务 2:小组共同绘制一份以“半导体材料的应用”为主题的科普海报。海报内容应包含:① 发光二极管(LED)的物理性质和应用场景。② 我国半导体工业的成就。③ 半导体芯片制造的主要难点。各小组交流分享学习心得并展示海报内容。
(1)海报的缩略图或照片(可以贴纸)。
(2)简述本小组海报的亮点。
(3)相邻两个小组交流分享海报内容,并为对方小组的海报提出修改建议。
(4)各小组派代表陈述本小组的调查结果。陈述内容应包含我国半导体工业的发展历程和所取得的重大成就,列举当前高端半导体芯片的广泛应用和制造难度。
评价与反思
| 评价项目 | 评价要点(☆☆☆) | 自评 | 互评 |
| 实践计划 | 能制订分工合理、任务明确、进度可行的实践计划 | | |
| | 能在规定的时间内完成计划 | | |
| 实践成果 | 能描述我国半导体工业的大致发展历程和重大成就 | | |
| | 能阐述半导体芯片制造的主要难点 | | |
| | 能正确连接电路使发光二极管正常发光,并说明发光二极管的主要物理性质 | | |
| | 能举例说明发光二极管的应用 | | |
| 信息搜集 | 能有效搜索所需学习资源,注意数据的可靠性和时效性 | | |
| | 能规范地标注引用数据、图片等相关信息的来源 | | |
| 交流合作 | 能利用数字设备开展交流活动 | | |
| | 在完成各自任务的同时,能与其他成员团结协作,开展合作 | | |
| | 在规定时间内完成展示,表达方式合理、流畅自然 | | |
评分方法: 完全符合评价要点得☆☆☆,部分符合得☆☆,少量符合得☆

答案

任务1
(1)
| 小组成员 | 成员分工 |
|----------------|--------------------------|
| 张三、李四、王五 | 张三:资料搜集;李四:实验操作;王五:记录与汇报 |
(2)
| 参数名称 | 参数值 |
|----------------|----------------------|
| 工作电压 | 1.8~3.2 V |
| 工作电流 | 5~20 mA |
(3)
补充电路图:电源、开关、限流电阻(约100Ω)、发光二极管串联,电流从二极管左侧流入(正极)、右侧流出(负极)。
器材选择:干电池(3V)、开关、100Ω电阻、发光二极管、导线若干。
(4)
改变电流方向后,二极管不能发光(单向导电性)。
异同:
相同点:均能将电能转化为光能。
不同点:LED具有单向导电性,工作电压/电流小(节能),寿命长;普通小灯泡双向导电,工作电压较高(如2.5V),电能转化为内能和光能(效率低),寿命较短。
任务2
(2)海报亮点:
1. 采用“物理性质-应用-国家成就”逻辑结构,层次清晰;
2. 插入LED实物图、芯片制造流程图,图文结合;
3. 重点标注我国半导体工业里程碑事件(如中芯国际14nm工艺量产)。
(3)修改建议(示例):
对方小组可增加“半导体材料分类”板块,补充硅、锗等基础材料介绍;
建议用时间轴展示我国半导体发展历程,更直观。
(4)调查结果陈述:
发展历程与成就:
1950s起步,1965年研制出第一块硅集成电路;2020年中芯国际14nm工艺量产,华为海思推出5G基站芯片;2023年长江存储实现128层闪存量产。
高端芯片应用:5G基站、人工智能(AI)处理器、航天卫星、新能源汽车自动驾驶系统。
制造难点:
1. 光刻机精度要求(如EUV光刻机分辨率达7nm);
2. 晶圆材料纯度(需99.9999%以上);
3. 纳米级工艺控制(如离子注入深度误差<1nm)。
评价与反思(示例)
| 评价项目 | 评价要点 | 自评 | 互评 |
|------------|-----------------------------------|------|------|
| 实践计划 | 分工合理、任务明确、进度可行 | ☆☆☆ | ☆☆☆ |
| | 按时完成计划 | ☆☆☆ | ☆☆☆ |
| 实践成果 | 描述我国半导体工业历程与成就 | ☆☆☆ | ☆☆ |
| | 阐述芯片制造难点 | ☆☆ | ☆☆☆ |
| | 正确连接电路并说明LED性质 | ☆☆☆ | ☆☆☆ |
| | 举例LED应用(如手机屏幕、路灯) | ☆☆☆ | ☆☆☆ |
| 信息搜集 | 资源可靠(引用工信部数据) | ☆☆☆ | ☆☆ |
| | 规范标注来源(如“中国半导体行业协会,2023”) | ☆☆ | ☆☆☆ |
| 交流合作 | 用PPT展示、小组讨论积极 | ☆☆☆ | ☆☆☆ |
| | 协作完成任务 | ☆☆☆ | ☆☆☆ |
| | 表达流畅、时间控制得当 | ☆☆ | ☆☆☆ |