14. 小深学习了透镜相关知识后,选择如题 14 图甲所示的四个透镜进行探究实验(其中 A、B 和 C、D 分别是两组形状相同的凸透镜,A、C 是用塑料制作而成,B 是用玻璃、D 是用水晶制作而成)：

(1)为了探究“凸透镜的焦距大小与透镜球形表面弯曲程度的关系”,小明让一束与主光轴平行的光,分别经过 A、C 两凸透镜后会聚于焦点处,如题 14 图中乙所示。比较两次实验的现象,可以得到的结论是。
(2)利用题 14 图甲的四个透镜,小深还可以探究凸透镜焦距与的关系。请帮小深写出相应探究步骤：。

(1)材料相同时，凸透镜球形表面弯曲程度越大，焦距越小。
(2)材料；①让平行于主光轴的光经过凸透镜A，测出其焦距fₐ；②用形状相同的凸透镜B替换A，保持其他条件不变，测出焦距fᵦ；③比较fₐ和fᵦ的大小。

15. 题 15 图为 EUV 光刻机原理简图,EUV 光刻机又称极紫外光刻机,是芯片生产工具,也是生产大规模集成电路的核心设备,对芯片工艺有着决定性的影响。其关键技术是以波长为 $ 10 \sim 14 \, nm $ 的极紫外光作为光源的光刻技术,光刻技术是利用缩图透镜将绘在掩膜上的电路图通过光源投射到涂有光刻胶的硅片上,在硅片上成像越小,芯片制程越小,小于 $ 5 \, nm $ 的芯片晶圆只能用 EUV 光刻机生产。

(1)光源发出的极紫外光(属于 / 不属于)可见光,缩图透镜属于(凸 / 凹)透镜。
(2)由原理图可知,掩膜到缩图透镜的距离 $ u $ 与缩图透镜的焦距 $ f $ 的关系是,缩图透镜的焦点在硅片的(上方 / 下方)。
(3)若想将芯片从 $ 5 \, nm $ 突破到 $ 3 \, nm $ 制程,如果缩图透镜相同,则要将掩膜向(上方 / 下方)移动。

(1)不属于；凸
(2)u＞2f；上方
(3)上方