6. 光刻机是制造芯片的核心装备,其原理如下:先在硅片表面涂一层光刻胶,再用紫外线光束透过有集成电路图的镂空掩膜,经过凸透镜照射下面的硅片,被光线照射到的光刻胶发生反应,硅片上就会出现清晰缩小的电路图案。
(1) 紫外线属于
(2) 下列关于光刻机工作过程中成像的说法正确的是
A. 在硅片上成的像是虚像
B. 镂空掩膜位于缩图透镜的二倍焦距以外
C. 硅片到透镜的距离相当于物距
D. 将镂空掩膜向上移动,硅片也需向上移动,才能呈清晰的像

(1) 紫外线属于
不可见光
(填“可见光”或“不可见光”)。(2) 下列关于光刻机工作过程中成像的说法正确的是
BD
(可多选)。A. 在硅片上成的像是虚像
B. 镂空掩膜位于缩图透镜的二倍焦距以外
C. 硅片到透镜的距离相当于物距
D. 将镂空掩膜向上移动,硅片也需向上移动,才能呈清晰的像
答案
6.(1)不可见光 (2)BD
7. 小科在探究“凸透镜成像规律”的实验中,将点燃的蜡烛、焦距$f=15\mathrm{cm}$的凸透镜、光屏依次安装在光具座上。

(1)如图甲所示,移动光屏找到清晰的蜡烛的像,这个像是图乙中的
(2)若小科想让蜡烛火焰的像成在光屏中心,应向
(3)将蜡烛从23cm刻度线处逐渐远离凸透镜,物距$u$随时间$t$的变化图象如图丙所示,则像距$v$与$t$的大致变化关系为丁图中的
(1)如图甲所示,移动光屏找到清晰的蜡烛的像,这个像是图乙中的
D
。(2)若小科想让蜡烛火焰的像成在光屏中心,应向
下
(填“上”或“下”)调节凸透镜。(3)将蜡烛从23cm刻度线处逐渐远离凸透镜,物距$u$随时间$t$的变化图象如图丙所示,则像距$v$与$t$的大致变化关系为丁图中的
C
。答案
7.(1)D (2)下 (3)C
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